P500+

PECVD

薄膜解决方案有限公司为光学、工程、装饰、光伏和半导体应用提供定制、可靠的沉积系统。
我们的射频等离子沉积系统具有MOCVD前体交付和低频注入选项,为在各种流程的平面和不合格几何上实现过程实现提供了灵活性。 系统配置具有各种电极直径,以适应研发或生产。

整机

主要特性

电极

  • 可改装电极
  • 电极直径可从100mm至1m
  • 可选加热电极
  • 可调节的电极间距
  • 自动调整匹配电容
  • 可选-低频注入

莫斯科和天然气输送

  • 多气体输送系统
  • 可适用有毒/自燃气体
  • 可选金属有机物前体
  • 可容纳多个气泡室
  • 低维护成本
  • 高均匀性的气体喷淋结构

自动控制

  • 自动化控制系统
  • 自动压力控制
  • 用户界面友好
  • 过程数据记录
  • 灵活的工艺参数设置
  • 脱机工艺参数编辑

可选真空系统

  • 可任选各种真空泵:如干泵、分子泵
  • 可适用有毒/自燃气体
  • 超宽工作真空度范围:10-6 至 10-2 姆巴尔

操作维护简便

  • 方便维护顶部/底部电极
  • 针对有毒/自燃气体使用的安全配置
  • 可靠的安全联锁系统
  • 易于清洁

RF PECVD系统与19“控制机架

  • 通过工艺条件控制化学计量。具有专有的热力学设计,可将基底温度加热至500°C。电极间距从100到250mm可调
  • 提供广泛的材料沉积,包括:SiOx, SiNx, SiOxNy, Si3N5, SiC, a- si:H, SiO2, Ta2O5, TiO2
  • 类金刚石,完全符合广泛的行业标准环境/耐久性测试
  • 磷化物类镀层
  • 自清洁功能